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HIP9010AB	文件：81.91 Kbytes Page：12 Pages	Engine Knock Signal Processor TheHIP9010isusedtoprovideamethodofdetectingprematuredetonationor“Knock”inautomotiveengines. AblockdiagramofthisICisshowninFigure1.Thechipalternatelyselectsoneofthetwosensorsmountedontheengineblock.Twoprogrammablebandpassfiltersprocessthesignalfromb	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IL9010D	文件：236.33 Kbytes Page：6 Pages	ICofcollectorelectricmotorcontroller	INTEGRAL Integral Corp.	INTEGRAL
IL9010N	文件：236.33 Kbytes Page：6 Pages	ICofcollectorelectricmotorcontroller	INTEGRAL Integral Corp.	INTEGRAL
IRFD9010	文件：453.91 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET?TRANSISTORSP-CHANNELHEXDIP? HEXFET?TRANSISTORSP-CHANNELHEXDIP? 1-WATTTRATEDPOWERMOSFETsINA4-PIN,DUAL-IN-LINEPACKAGE FEATURES ■ForAutomaticInsertion ■Compact,EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasyParalleled ■ExcellentTemperatureStability ■P-ChannelVersatility	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9010	文件：134.89 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. FEATURES ?ForAutomatic	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR9010	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR9010	文件：308.04 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFR9010	文件：306.39 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowerRDS(ON) ?Improvedinductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowerinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRFR9010	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancheratings ?Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) ?Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) ?Simpledriverequirements ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR9010PBF	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR9010PBF	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancheratings ?Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) ?Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) ?Simpledriverequirements ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR9010TRLPBFA	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancheratings ?Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) ?Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) ?Simpledriverequirements ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR9010TRPBF	文件：1.02823 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFR9010TRPBFA	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancheratings ?Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) ?Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) ?Simpledriverequirements ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU9010	文件：283.14 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IRFU9010	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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LB9010A	文件：589.84 Kbytes Page：1 Pages	ProtectiveCoverforTerminalBlocks	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）過程自動化控制設備有限公司	PF

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型號：
HIP9010AB
制造商：
Intersil Corporation

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更多HIP9010AB供應商更新時間2025-1-17 11:22:00

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