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HGTP12N60C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTP12N60C3
廠商型號

HGTP12N60C3

參數(shù)屬性

HGTP12N60C3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 24A 104W TO220AB

功能描述

24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

131.23 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Harris Corporation
企業(yè)簡稱

HARRIS

中文名稱

Harris Corporation

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-26 8:45:00

HGTP12N60C3規(guī)格書詳情

Description

The HGTP12N60C3, HGT1S12N60C3 and HGT1S12N60C3S are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

Features

? 24A, 600V at TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . 230ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTP12N60C3

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(開),900μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 24A 104W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
24+
SMD
800
原裝現(xiàn)貨
詢價
HARRIS
17+
TO-220
6200
詢價
FAIRC
24+
TO-220
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
詢價
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR
21+
NA
1400
只做原裝,一定有貨,不止網(wǎng)上數(shù)量,量多可訂貨!
詢價
ON Semiconductor
2022+
TO-220-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
onsemi(安森美)
23+
TO220
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
詢價
ON/安森美
24+
TO-220AB
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
ON/安森美
24+
N/A
5000
只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
FSC/仙童
2224+
TO-220
17495
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
詢價