HFA3127RZ96_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻-Renesas Electronics America Inc

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原廠料號(hào):HFA3127RZ96品牌:Renesas Electronics America Inc

資料說明:RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

HFA3127RZ96是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝16-VFQFN 裸露焊盤的HFA3127RZ96晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào):

    hfa3127rz96

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    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HFA3127RZ96

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    5 NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    3.5dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    16-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

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