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BF888H6327XTSA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-英飛凌

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原廠料號：BF888H6327XTSA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343

BF888H6327XTSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝SC-82A，SOT-343的BF888H6327XTSA1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    bf888h6327xtsa1

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BF888H6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    4V

  • 頻率 - 躍遷：

    47GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • 增益：

    27dB

  • 功率 - 最大值：

    160mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    250 @ 25A, 3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-82A，SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT343-4-2

  • 描述：

    MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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