NSVMMBTH81LT1G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):NSVMMBTH81LT1G品牌:onsemi

資料說(shuō)明:SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

NSVMMBTH81LT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的NSVMMBTH81LT1G晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào):

    nsvmmbth81lt1g

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng):

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NSVMMBTH81LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    20V

  • 頻率 - 躍遷:

    600MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23

  • 描述:

    SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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