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FQP5N50	文件：724.45 Kbytes Page：8 Pages	500VNCHANNELMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP5N50	文件：222.21 Kbytes Page：6 Pages	500V,5AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheFQP5N50&FQPF5N50havebeenfabricatedusing anadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatis designedtodeliverhighlevelsofperformanceand robustnessinpopularAC-DCapplications. ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwith guaranteedavalanchecapabilit	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
FQP5N50C	文件：860.85 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP5N50C	文件：301.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQPF5N50	文件：762.38 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF5N50	文件：222.21 Kbytes Page：6 Pages	500V,5AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheFQP5N50&FQPF5N50havebeenfabricatedusing anadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatis designedtodeliverhighlevelsofperformanceand robustnessinpopularAC-DCapplications. ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwith guaranteedavalanchecapabilit	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
FQPF5N50C	文件：860.85 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF5N50C	文件：277.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQPF5N50CF	文件：657.26 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF5N50CFTU	文件：662.75 Kbytes Page：8 Pages	Lowgatecharge(typical18nC) Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU5N50	文件：772.02 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU5N50	文件：329.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQU5N50C	文件：628.88 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU5N50C	文件：669.57 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU5N50C	文件：330.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQU5N50CTU-WS	文件：935.76 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelQFET?MOSFET500V,4.0A,1.4? Features ?4.0A,500V,RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ.18nC) ?LowCrss(Typ.15pF) ?FastSwitching ?100%AvalancheTested ?Improveddv/dtCapability Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietary	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FTK5N50D	文件：373.18 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N50DD	文件：373.18 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N50F	文件：373.18 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N50I	文件：373.18 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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詳細參數(shù)

型號：
FQI5N50TU
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	FQI5N50TU	FSC	21+	TO-262	3000	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	FQI5N50TU		FSC	TO-262	68900	原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	FQI5N50TU	FSC	0148+	TO-262	3000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
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