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FQP6N40	文件：736.39 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET 400VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP6N40C	文件：296.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP6N40C	文件：851.97 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP6N40CF	文件：1.07078 Mbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP6N40CF	文件：1.06342 Mbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF6N40C	文件：851.97 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF6N40CF	文件：1.07078 Mbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU6N40	文件：330.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU6N40	文件：773.03 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features ?4.2A,400V,RDS(on)=1.15?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical13nC) ?LowCrss(typical9.5pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU6N40C	文件：623.6 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HFD6N40S	文件：805.4 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFU6N40S	文件：805.4 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IRF6N40	文件：78.48 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitching regulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ●?HigherCurrentRating ?●LowerrDS(ON),LowerCapacitances ?●LowerTotalGateCharge ?	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
KSM6N40C	文件：2.50584 Mbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD6N40	文件：1.4163 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF6N40C	文件：2.50584 Mbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU6N40	文件：1.4163 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MS6N40	文件：878.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF6N40	文件：911.93 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSQ6N40	文件：707.1 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQI6N40TU
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市匯萊威科技有限公司	FQI6N40TU		FSC	TO-262	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	FQI6N40TU	FSC	0150+	TO-262	3000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	FQI6N45	仙童	05+	TO-262	2500	原裝進(jìn)口	詢價(jià)
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FQI6N50	FAIRC	23+	TO-262(I2PAK)	7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	FQI6N50	FAIRC	23+	TO-262(I2PAK)	7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)

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