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FMC11N60E	文件：333.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMC11N60E	文件：626.98 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMI11N60E	文件：631.65 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMP11N60E	文件：623.42 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV11N60E	文件：313.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMV11N60E	文件：553.4 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET SuperFAP-E3series Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedura	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
HFF11N60S	文件：716.92 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergy	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
HMS11N60I	文件：688.54 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS11N60K	文件：688.54 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
ISPP11N60CFD	文件：338.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.44? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISPW11N60CFD	文件：335.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤440m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH11N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM11N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KP11N60D	文件：388.24 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,I	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KP11N60F	文件：390.31 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,I	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KPS11N60D	文件：388.63 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KPS11N60F	文件：390.57 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KSM11N60	文件：2.00345 Mbytes Page：9 Pages	Loweffectiveoutputcapacitance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MDF11N60	文件：959.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,11A,0.55(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF11N60TH	文件：959.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,11A,0.55(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FMC11N60E
制造商：
FUJI
制造商全稱：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市匯萊威科技有限公司	FMC11N60E	FUJITSU/富士通	24+	TO-263	500063	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	FMC11N60E	VB	2019	TO263	55000	絕對(duì)原裝正品假一罰十!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FMC11N60E	NEXPERIA/安世	23+	SOT23	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	FMC11N60E	F	23+	T-PACK(S)	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FMC11N60E	FUJI/富士電機(jī)	2022+	TO-263	50000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	FMC11N60E	FUJI		原廠封裝	1000	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢價(jià)
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	FMC11N60E	FUJI/富士電機(jī)	2022+	TO-263	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對(duì)原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FMC11N60E	FUJI/富士電機(jī)	2022+	TO-263	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市星辰微電科技有限公司	FMC11N60E	FUJI/富士電機(jī)	23+	N/A	11550	FUJI/富士電機(jī)系列在售	詢價(jià)
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更多FMC11N60E供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-22 16:40:00

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