FGD3040G2-F085C 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量	價(jià)格
1+	面議

廠家型號(hào)：
FGD3040G2-F085C
產(chǎn)品分類(lèi)：
芯片
生產(chǎn)廠商：
onsemi
庫(kù)存數(shù)量：
47547
產(chǎn)品封裝：
TO-252-3
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫(kù)存類(lèi)型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-1-9 16:11:00

數(shù)據(jù)手冊(cè) 更多貨源

詳細(xì)信息
規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：FGD3040G2-F085C品牌：onsemi

專(zhuān)注原裝正品代理分銷(xiāo),認(rèn)準(zhǔn)水星電子

FGD3040G2-F085C是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-252-3/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的FGD3040G2-F085C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號(hào)：
FGD3040G2-F085C
規(guī)格書(shū)：
下載
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱(chēng)：
ON Semiconductor
中文名稱(chēng)：
安森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
9 頁(yè)
文件大?。?/span>
966.83 kb
資料說(shuō)明：
EcoSPARK 2 Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N?Channel Ignition IGBT

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
FGD3040G2-F085C
制造商：
onsemi
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.25V @ 4V，6A
輸入類(lèi)型：
邏輯
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
0.9μs/4.8μs
測(cè)試條件：
300V，6.5A，1000 歐姆，5V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：
D-PAK（TO-252）
描述：
ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市水星電子有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
李先生
手機(jī)：
13632880560
詢價(jià)：
電話：
0755-89585609
地址：
深圳市龍崗區(qū)平湖街道禾花社區(qū)華南大道1號(hào)華南國(guó)際印刷紙品包裝物流區(qū)二期2號(hào)樓B1C177

FGD3040G2-F085C 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGD3040G2-F085C

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

相關(guān)型號(hào)

相近型號(hào)

FGD3040G2-F085C 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGD3040G2-F085C

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

相關(guān)型號(hào)

相近型號(hào)

FGD3040G2-F085C 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體