FGD3040G2-F085C_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:FGD3040G2-F085C品牌:onsemi

資料說明:ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252

FGD3040G2-F085C是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63的FGD3040G2-F085C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    fgd3040g2-f085c

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    FGD3040G2-F085C

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.25V @ 4V,6A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    0.9μs/4.8μs

  • 測試條件:

    300V,6.5A,1000 歐姆,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D-PAK(TO-252)

  • 描述:

    ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252

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