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RGTH80TS65DGC11_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Rohm Semiconductor

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原廠(chǎng)料號(hào)：RGTH80TS65DGC11品牌：Rohm Semiconductor

資料說(shuō)明：IGBT 650V 70A 234W TO-247N

RGTH80TS65DGC11是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝TO-247-3的RGTH80TS65DGC11晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    rgth80ts65dgc11

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 650V 70A 234W TO-247N

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RGTH80TS65DGC11

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，40A

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    34ns/120ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247N

  • 描述：

    IGBT 650V 70A 234W TO-247N

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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