首頁>BUL642D2G>詳情

BUL642D2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

BUL642D2參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：BUL642D2品牌：ON

BUL642D2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝TO220ATLAS/TO-220-3的BUL642D2晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號(hào)：

    BUL642D2

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    101.28 kb

  • 資料說明：

    High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector??mitter and Built??n Efficient Antisaturation Network

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BUL642D2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    200μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    16 @ 500mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    13MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 440V 3A TO220

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    云S/廖S

  • 手機(jī)：

    19168775913

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88608801

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A

相近型號(hào)