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BUL642D2G

High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector??mitter and Built??n Efficient Antisaturation Network

TheBUL642D2isastate?of?the?artHighSpeedHighGainBipolarTransistor(H2BIP).Tightdynamiccharacteristicsandlottolotminimumspread(150nsonstoragetime)makeitideallysuitableforLightBallastApplication.Anewdevelopmentprocessbringsavalancheenergycapability,makingthe

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BUL642D2G

Package:TO-220-3;包裝:散裝 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 440V 3A TO220

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BUL642D2

HighSpeed,HighGainBipolarNPNTransistorwithIntegratedCollector??mitterandBuilt??nEfficientAntisaturationNetwork

TheBUL642D2isastate?of?the?artHighSpeedHighGainBipolarTransistor(H2BIP).Tightdynamiccharacteristicsandlottolotminimumspread(150nsonstoragetime)makeitideallysuitableforLightBallastApplication.Anewdevelopmentprocessbringsavalancheenergycapability,makingthe

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BUL642D2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    200μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    16 @ 500mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    13MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 440V 3A TO220

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
16+
原廠封裝
10000
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應,歡迎來電咨詢
詢價
ON
23+
TO-220-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價
ON/安森美
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
詢價
ON/安森美
22+
TO-220
6000
十年配單,只做原裝
詢價
ON/安森美
23+
TO-TO-220
35400
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
ON Semiconductor
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ON/安森美
22+
TO-220
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
ON/安森美
22+
TO-220
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
ON
24+
TO-TO-220
35400
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
詢價
ST
24+
TO220ABNONISOL
8866
詢價
更多BUL642D2G供應商 更新時間2025-1-22 10:06:00