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BLP15H9S100GZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP15H9S100GZ
廠商型號

BLP15H9S100GZ

參數(shù)屬性

BLP15H9S100GZ 封裝/外殼為SOT-1483-1;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:BLP15H9S100G/SOT1483/REELDP

功能描述

Power LDMOS transistor
BLP15H9S100G/SOT1483/REELDP

文件大小

1.19203 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-18 10:40:00

BLP15H9S100GZ規(guī)格書詳情

General description

A 100 W LDMOS driver transistor for broadcast and industrial applications. The excellent

ruggedness of this device makes it ideal for digital and analog transmitter applications in

the frequency range from HF to 2 GHz.

Features and benefits

? Designed for broadband operation

? High efficiency

? Integrated dual sided ESD protection

? Excellent ruggedness

? High power gain

? Excellent reliability

? Easy power control

? Excellent stability

? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

? Broadcast transmitter applications

? Industrial, scientific and medical applications

? Applicable at frequencies from HF to 2 GHz

BLP15H9S100GZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。安譜隆制造生產(chǎn)的BLP15H9S100GZ晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLP15H9S100GZ

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    BLP

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1MHz ~ 1.5GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 輸出:

    100W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1483-1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT1483-1

  • 描述:

    BLP15H9S100G/SOT1483/REELDP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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