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BLP10H630P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP10H630P
廠商型號

BLP10H630P

參數(shù)屬性

BLP10H630P 封裝/外殼為SOT-1223-2;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF

功能描述

Power LDMOS transistor
RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF

文件大小

1.76845 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-18 10:30:00

BLP10H630P規(guī)格書詳情

General description

A 30 W LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to

1000 MHz band.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated dual sided ESD protection enables class C operation and complete switch

off of the transistor

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (HF to 1000 MHz)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

? Broadcast transmitter applications

BLP10H630P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。安譜隆制造生產(chǎn)的BLP10H630P晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLP10H630PY

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1GHz

  • 增益:

    18dB

  • 額定電流(安培):

    1.4μA

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1223-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-HSOPF

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Ampleon USA Inc.
22+
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Ampleon USA Inc.
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