BLP10H605分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BLP10H605 |
| 參數(shù)屬性 | BLP10H605 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| 功能描述 | Broadband LDMOS driver transistor |
| 封裝外殼 | 12-VDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
878.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-10 8:24:00 |
BLP10H605規(guī)格書詳情
BLP10H605屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP10H605晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
A 5 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at
frequencies from HF to 1400 MHz.
Features and benefits
? Easy power control
? Integrated dual side ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (HF to 1400 MHz)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? Industrial, scientific and medical applications
? Broadcast transmitter applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BLP10H605Z
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS（雙），共源
- 頻率：
860MHz
- 增益：
22.4dB
- 功率 - 輸出：
5W
- 封裝/外殼：
12-VDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
12-HVSON（6x5）
- 描述：
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Ampleon USA Inc. |
2022+ |
12-HVSON(6x5) |
38550 |
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