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BLA9H0912L-1200P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLA9H0912L-1200P
廠商型號(hào)

BLA9H0912L-1200P

參數(shù)屬性

BLA9H0912L-1200P 封裝/外殼為SOT-539A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY

功能描述

LDMOS avionics power transistor
BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY

封裝外殼

SOT-539A

文件大小

1.12783 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-18 8:24:00

BLA9H0912L-1200P規(guī)格書詳情

BLA9H0912L-1200P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLA9H0912L-1200P晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

1200 W LDMOS power transistor for avionics applications in the frequency range of

960 MHz to 1215 MHz.

Features and benefits

? High efficiency

? Excellent ruggedness

? Designed for avionics band operation

? Excellent thermal stability

? Easy power control

? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation

? High flexibility with respect to pulse formats

? Internally matched for ease of use

? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

? Avionics applications in the frequency range of 960 MHz to 1215 MHz

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLA9H0912L-1200PU

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益:

    19dB

  • 額定電流(安培):

    2.8μA

  • 功率 - 輸出:

    1200W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539A

  • 描述:

    BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Ampleon USA Inc.
2022+
SOT539A
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