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BLA9H0912L-1200P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
BLA9H0912L-1200P |
參數(shù)屬性 | BLA9H0912L-1200P 封裝/外殼為SOT-539A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY |
功能描述 | LDMOS avionics power transistor |
封裝外殼 | SOT-539A |
文件大小 |
1.12783 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-18 8:24:00 |
BLA9H0912L-1200P規(guī)格書詳情
BLA9H0912L-1200P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLA9H0912L-1200P晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
1200 W LDMOS power transistor for avionics applications in the frequency range of
960 MHz to 1215 MHz.
Features and benefits
? High efficiency
? Excellent ruggedness
? Designed for avionics band operation
? Excellent thermal stability
? Easy power control
? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation
? High flexibility with respect to pulse formats
? Internally matched for ease of use
? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
Applications
? Avionics applications in the frequency range of 960 MHz to 1215 MHz
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BLA9H0912L-1200PU
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益:
19dB
- 額定電流(安培):
2.8μA
- 功率 - 輸出:
1200W
- 封裝/外殼:
SOT-539A
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT539A
- 描述:
BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Ampleon USA Inc. |
2022+ |
SOT539A |
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