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BLA9G1011L-300分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLA9G1011L-300
廠商型號

BLA9G1011L-300

參數(shù)屬性

BLA9G1011L-300 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A

功能描述

Power LDMOS transistor
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A

封裝外殼

SOT-502A

文件大小

1.62922 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-29 23:00:00

BLA9G1011L-300規(guī)格書詳情

BLA9G1011L-300屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLA9G1011L-300晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

300 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to

1090 MHz.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation

? Enhanced ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLA9G1011L-300U

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.03GHz ~ 1.09GHz

  • 增益:

    21.8dB

  • 額定電流(安培):

    4.2μA

  • 功率 - 輸出:

    317W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502A

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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