BFR840L3RHESD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

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廠家型號：
BFR840L3RHESD
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
INFINEON/英飛凌
庫存數(shù)量：
17730
產(chǎn)品封裝：
NA
生產(chǎn)批號：
2021+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時(shí)間：
2024-12-28 14:04:00

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原廠料號：BFR840L3RHESD品牌：INFINEON/英飛凌

原裝進(jìn)口假一罰十

BFR840L3RHESD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/SC-101，SOT-883的BFR840L3RHESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
BFR840L3RHESD
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱：
Infineon Technologies AG
中文名稱：
英飛凌科技股份公司
內(nèi)容頁數(shù)：
28 頁
文件大?。?/span>
1496.87 kb
資料說明：
Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
2.6V
頻率 - 躍遷：
75GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
0.5dB @ 450MHz
增益：
27dB
功率 - 最大值：
75mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 10mA，1.8V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
35mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SC-101，SOT-883
供應(yīng)商器件封裝：
PG-TSLP-3
描述：
RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市英科美電子有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
張先生
手機(jī)：
15507502698
詢價(jià)：
電話：
0755-23903058
傳真：
0755-23905869
地址：
深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟730

BFR840L3RHESD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

BFR840L3RHESD

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