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BFR840L3RHESD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BFR840L3RHESD |
| 參數(shù)屬性 | BFR840L3RHESD 封裝/外殼為SC-101，SOT-883；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3 |
| 功能描述 | Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
| 封裝外殼 | SC-101，SOT-883 |
| 文件大小 |
1.49687 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
28 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-16 15:28:00 |
BFR840L3RHESD規(guī)格書詳情
BFR840L3RHESD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFR840L3RHESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
2.6V
- 頻率 - 躍遷：
75GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
0.5dB @ 450MHz
- 增益：
27dB
- 功率 - 最大值：
75mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 10mA，1.8V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-101，SOT-883
- 供應商器件封裝：
PG-TSLP-3
- 描述：
RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
射頻(RF)雙極晶體管 |
860 |
射頻專家,進口原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TSLP-3 |
6820 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
68900 |
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TSLP-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TSLP-3 |
10000 |
原裝,品質保證,請來電咨詢 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
TSLP-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TSLP-3 |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
INF |
23+ |
2013+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 |
