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BFR840L3RHESDE6327 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

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原廠料號：BFR840L3RHESDE6327品牌：Infineon/英飛凌

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BFR840L3RHESDE6327是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TSLP-3/SC-101，SOT-883的BFR840L3RHESDE6327晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    BFR840L3RHESDE6327

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    射頻雙極電源晶體管 RF BIP TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BFR840L3RHESDE6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    2.6V

  • 頻率 - 躍遷：

    75GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.5dB @ 450MHz

  • 增益：

    27dB

  • 功率 - 最大值：

    75mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 10mA，1.8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-101，SOT-883

  • 供應商器件封裝：

    PG-TSLP-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市斌能達電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生

  • 手機：

    15986652922

  • 詢價：
  • 電話：

    15986652922

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟405

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