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BFR106 | Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
BFR106 | RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | |
BFR106 | Low Noise Figure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BFR106 | NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications. | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | |
BFR106 | NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiers ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Specialapplication:antennaamplifiers ?Complementarytype:BFR194(PNP) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司 | SIEMENS | |
BFR106 | NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?HighlinearitylownoiseRFtransistor ?22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA ?ForUHF/VHFapplications ?Driverformultistageamplifiers ?Forlinearbroadbandandantennaamplifiers ?Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
BFR106 | NPN Silicon RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
BFR106 | Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
BFR106 | NPN 5 GHz wideband transistor | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | |
NPN Silicon RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN 5 GHz wideband transistor | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司 | JMNIC | ||
NPN 5 GHz wideband transistor | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司 | JMNIC | ||
包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB | NXP USA Inc. NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_甚高頻 （VHF）_超高頻/特高頻
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
5GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
2SC3356,2SC3775,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-15
- vtest：
20
- htest：
5000000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BFR106
- 制造商：
NXP Semiconductors
- 功能描述：
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
- 功能描述：
RF TRANSISTOR, NPN, SOT-23
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
9443 |
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障 |
詢價(jià) | ||
NXP |
24+ |
SOT-23 |
8900 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2019+ |
SOT23 |
78550 |
原廠渠道 可含稅出貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
SOT-23 |
163000 |
一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-23 |
159709 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT23 |
7906200 |
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT-23 |
504174 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
NXP |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOT-23 |
360000 |
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低 |
詢價(jià) |
