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BFR182	文件：71.53 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFR182	文件：79.13 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182	文件：133.04 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182	文件：618.78 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182	文件：236.8 Kbytes Page：3 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=12V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=10mA	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFR182T	文件：70.17 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182T	文件：68.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ???Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182T	文件：203.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182TF	文件：82.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditiontos	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182TW	文件：68.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ???Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182TW	文件：203.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182TW	文件：564.27 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiers atcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Lownoisefigure ·Highpowergain	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFR182W	文件：55.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHzF=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFR182W	文件：79.15 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182W	文件：517.63 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182W	文件：672.28 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182	文件：121.88 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.4dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFY182	文件：148.58 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182ES	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BFP182W(RGS)	INFINEON	23+	SOT343	2060	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BFP182W(RGS)	INFINEON	23+	SOT343	2060	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BFP182WE6327	Infineon	24+	SOT-343	7500		詢價(jià)
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