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BFG520/XR	文件：316.04 Kbytes Page：14 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforapplicationsintheRFfrontendintheGHzrange, suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners(SATV)andrepeateramplifiersinfibre	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG520/XR	文件：146.15 Kbytes Page：13 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforapplicationsintheRFfrontendintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners(SATV)andrepeateramplifiersinfibre-	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG520-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG520/XR,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SOT-143R 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
BFG520/XR,235	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SOT-143R 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
BFG520W	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG520W	文件：304.75 Kbytes Page：15 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG520W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG520W	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司	JMNIC
BFG520W/X	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG520W/X	文件：304.75 Kbytes Page：15 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG520W-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG520X	文件：281.9 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFG520-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG520-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFM520	文件：96.58 Kbytes Page：10 Pages	DualNPNwidebandtransistor DESCRIPTION DualtransistorwithtwosiliconNPNRFdiesinasurfacemount6-pinSOT363(S-mini)package.Thetransistoris primarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHz-rangeintheRFfrontendofanaloganddigitalcellular phones,cordlessphones,radardetectors,pagersan	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFM520	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFP520	文件：48.56 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHzand2mA/2V) NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ?Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHzand2mA/2V OutstandingGa=20dB NoiseFigureF=0.95dB ?Foroscillatorsupto15GHz ?TransitionfrequencyfT=45GHz ?Goldmetalizationforhighreliability ?SIEGET?45-Line	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP520	文件：92.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Lownoiseamplifierdesignedforlowvoltageapplications,idealfor1.2Vor1.8Vsupplyvoltage ?Commone.g.incordlessphones,satellitereceiversandoscillatorsupto22GHz ?Highgainandlownoiseathighfrequenciesduetohightransitfrequ	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP520	文件：341.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANZYSTORYNPN [UNITRACEMI] TRANZYSTORYNPN	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BFG520_XR
功能描述：
射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶體管極性：
NPN
最大工作頻率：
7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
15 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
2 V
集電極連續(xù)電流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe
最大工作溫度：
+ 150 C
封裝/箱體：
SOT-223
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	BFG520/XR	NXP	19+	SOT-143	45000		詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFG520/XR	NXP(恩智浦)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	7140	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BFG520/XR	NXP(恩智浦)	23+	N/A	12000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市訊順達(dá)科技有限公司	BFG520/XR	Slkor/薩科微	24+	SOT-143R	50000	Slkor/薩科微一級(jí)代理,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市華康聯(lián)電子科技有限公司	BFG520/XR	Slkor(薩科微	22+	SOT-143R	3000	官網(wǎng)一級(jí)代理，公司現(xiàn)貨放心采購	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BFG520/XR		24+		2000	全新	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	BFG520/XR	NXP	23+	原廠封裝	12300		詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	BFG520/XR	Philips	24+	SOT-143	3600	絕對(duì)原裝!現(xiàn)貨熱賣!	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	BFG520/XR	原廠正品	23+	SOT143	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	BFG520/XR	NXP	17+	SOT-143	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多BFG520_XR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 13:30:00

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