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BD181	文件：150.15 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS NPNSILICONTRANSISTOR POWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS BD181,BD182andBD183aresiliconNPNtransistorsintendedforawidevariety ofhighpowerapplications.Typicalapplicationsincludepowerswitchingcircuits, audioamplifiers,solenoiddrivers,andseriesandshuntregulators.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD181	文件：166.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-POWER SILICON NPN TRANSISTORS High-PowerSiliconN-P-NTransistors BroadlyApplicableDevices ForCommercialUse Features: ■Maximumsafe-area-of-operationcurves ■Lowsaturationvoltages ■Highdissipationratings	GE GE Industrial Company	GE
BD181	文件：144.46 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BD181	文件：78.64 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD181_12	文件：78.64 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BF181	文件：456.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNTRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BF181	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BF181	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	Electricalcharacterlitics GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BF181	文件：2.17749 Mbytes Page：29 Pages	TRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BFP181	文件：60.99 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP181	文件：79.29 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP181	文件：79.2 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP181	文件：553.73 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP181R	文件：58.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP181R	文件：88.12 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP181T	文件：266.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC ??andWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat ??collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BFP181TRW	文件：266.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC ??andWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat ??collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BFP181TW	文件：266.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC ??andWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat ??collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BFP181W	文件：59.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP181W	文件：118.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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晶體管資料

型號：
BD181
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
55V
最大電流允許值：
15A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
2
可代換的型號：
BD130,BDX10,BDY20,BDY39,2N3055,3DD66B,
最大耗散功率：
117W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
E-44
vtest：
55
htest：
999900
atest：
15
wtest：
117

詳細參數(shù)

型號：
BD181
功能描述：
NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	BD181		24+	TO-3	10000		詢價
深圳市弘為電子有限公司	BD181	MIS	16+	原廠封裝	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	BD181	GE	23+	NA	39960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	bd181	FSC	21+	TO-126F	120	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳芯力源電子科技有限公司	BD181	IR	23+	原廠封裝	5177	現(xiàn)貨	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	bd181	FSC	23+	TO-126F	120	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BD182	N/A	2016+	CAN	6528	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨!假一賠十!	詢價
深圳市福田區(qū)億興成電子商行	BD182	N/A	CAN	6688	15	現(xiàn)貨庫存	詢價
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	BD182	MOTOROLA/摩托羅拉	專業(yè)鐵帽	TO-3	3000	原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	BD182	MOTOROLA/摩托羅拉	專業(yè)鐵帽	TO-3	67500	鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票	詢價

更多BD181供應商更新時間2024-12-27 16:30:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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