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BD250

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD249Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BD250

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?ComplementtotypeBD249/A/B/C ?125Wat25°Ccasetemperature ?25Acontinuouscollectorcurrent

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BD250

POWER TRANSISTORS(25A,125W)

COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

BD250

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD249Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable

POINN

Power Innovations Ltd

BD250

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?ComplementtotypeBD249/A/B/C ?125Wat25°Ccasetemperature ?25Acontinuouscollectorcurrent

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD250

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD250

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD250

Silicon PNP Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BD2500

25A BOSCH TYPE PRESS-FIT DIODE

Features ●DiffusedJunction ●LowLeakage ●LowCost ●HighSurgeCurrentCapability ●TypicalIRlessthan5.0μA

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星電子股份有限公司

BD2500G

25A GLASS PASSIVATED BOSCH TYPE PRESS-FIT DIODE

GlassPassivatedDieConstruction LowLeakage LowCost HighSurgeCurrentCapability TypicalIRlessthan5.0μA

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星電子股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    BD250

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    45V

  • 最大電流允許值:

    25A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD258/45,TIP36,3CD15B,

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-62

  • vtest:

    45

  • htest:

    999900

  • atest:

    25

  • wtest:

    125

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BD250

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 120W PNP Silicon

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BD250供應(yīng)商 更新時間2025-1-30 16:00:00