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BCR196W	文件：34.91 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?,R2=22k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCR196W	文件：196.12 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon Digital Transistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?,R2=22k?)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR196W	文件：182.2 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR196W	文件：842.47 Kbytes Page：8 Pages	Marking:WXs;Package:SOT323;PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR196WE6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR196WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BF196	文件：247.3 Kbytes Page：3 Pages	TRANZYSTORNPN [UNITRACEMI] TRANZYSTORNPN	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BF196	文件：226.57 Kbytes Page：2 Pages	TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BFG196	文件：60.07 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationsystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNSystems ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFG196	文件：48.87 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationssystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFG196	文件：62.87 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP196	文件：60.94 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications) ?Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationssystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP196	文件：79.39 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz ?Pb-free(RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP196	文件：79.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP196	文件：557.21 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP196W	文件：79.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz ?Pb-free(RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP196W	文件：60.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP196W	文件：83.26 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP196W	文件：552.02 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP196W	文件：281.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP. @VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz ?HighGain ︱S21︱2=18dBTYP. @VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobust deviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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晶體管資料

型號：
BCR196W
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-P+R
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
DTA144WU,RN2309,UN511E,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號：
BCR196W
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
PNP Silicon Digital Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	BCR196W	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	BCR196W	SMD	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	BCR196W	INFINEON	22+	SOT-323	8000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市鑫蒙圣電子有限公司	BCR196W	INFINEON/英飛凌	22+	SOT-323	15000	原裝	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BCR196W	INFINEON/英飛凌	22+	SOT-323	20000	原裝現(xiàn)貨,實單支持	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BCR196W	ADI	23+	SOT-323	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價

更多BCR196W供應(yīng)商更新時間2025-1-14 13:39:00

晶體管資料

詳細(xì)參數(shù)

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