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BCR573	文件：35.26 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinresistor(R1=1k?,R2=10k?)	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCR573	文件：114.41 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Builtinbiasresistor(R1=1k?,R2=10k?) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR573	文件：138.41 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR573	文件：531.41 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR573_07	文件：138.41 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR573_11	文件：531.41 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR573E6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR573E6433HTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BLC573	文件：117.27 Kbytes Page：14 Pages	HF/VHFpowerLDMOStransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BLF573	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BLF573	文件：1.21831 Mbytes Page：16 Pages	HF/VHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A300WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastapplicationsandindustrial,scientific andmedicalapplicationsintheHFto500MHzband. Featuresandbenefits ?TypicalCWperformanceatfrequencyof225MHz,asupplyvoltageof50Vandan IDqof900mA: ?Averageout	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF573(S)	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BLF573S	文件：84.02 Kbytes Page：14 Pages	HF/VHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A300WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastapplicationsandindustrial,scientificandmedicalapplicationsintheHFto500MHzband. Featuresandbenefits ■TypicalCWperformanceatfrequencyof225MHz,asupplyvoltageof50VandanIDqof900mA: ◆Averageo	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BLF573S	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BLF573S	文件：1.21831 Mbytes Page：16 Pages	HF/VHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A300WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastapplicationsandindustrial,scientific andmedicalapplicationsintheHFto500MHzband. Featuresandbenefits ?TypicalCWperformanceatfrequencyof225MHz,asupplyvoltageof50Vandan IDqof900mA: ?Averageout	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BR573/D	文件：58.64 Kbytes Page：10 Pages	ProductBriefIntegratedProcessorWithDMA	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導體	freescale
BR573/D	文件：1.16585 Mbytes Page：37 Pages	IntegratedCPU32Processor TheprimaryfeaturesoftheMC68330areasfollows: ?HighFunctionalIntegrationonaSinglePieceofSilicon?CPU32-MC68020-Derived32-BitCentralProcessorUnit-UpwardObject-CodeCompatiblewithMC68000andMC68010Additional32-BitMC68020InstructionsandAddressingModes-UniqueEmbedd	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BR573D	文件：2.48875 Mbytes Page：441 Pages	IntegratedProcessorwithDMAUser??Manual	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導體	freescale
C573	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) ?Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C-573E	文件：124.39 Kbytes Page：1 Pages	THREEDIGITSDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

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晶體管資料

型號：
BCR573
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-P+R
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
0.5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
DTB113ZS,RN2226,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0

詳細參數(shù)

型號：
BCR573
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Transistor Array PNP 1K 10K 500mA SOT23

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BCR573	Infineon(英飛凌)	23+	標準封裝	7789	原廠渠道供應,大量現(xiàn)貨,原型號開票。	詢價
深圳市宇集芯電子有限公司	BCR573	Infineon/英飛凌	24+	SOT23-3	163000	一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理	詢價
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深圳市一線半導體有限公司	BCR573	INFINEON	24+	SOT-23	7200	新進庫存/原裝	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	BCR573	SIE	23+	SOT-23	31000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市達恩科技有限公司	BCR573	Infineon	18+	NA	3000	進口原裝正品優(yōu)勢供應QQ3171516190	詢價
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更多BCR573供應商更新時間2024-11-8 10:06:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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