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2SC5200	文件：288.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequency AmplifierOutputStage. ComplementarytoUTC2SA1943	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SC5200	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2SC5200	文件：292.72 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·HighPowerDissipation ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=230V(Min) ·ComplementtoType2SA1943 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：229.34 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PLpackage ?Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ?Highcurrentswitching ?Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5200	文件：281.46 Kbytes Page：2 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATION ?Complementaryto2SA1943 ?Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2SC5200	文件：157.43 Kbytes Page：8 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Description ThisdeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=230V ■TypicalfT=30MHz Application ■Audiopoweramplif	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
2SC5200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features ?HighCurrentCapability:IC=17A. ?HighPowerDissipation:150watts. ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1943/FJL4215. ?ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5200	文件：424.28 Kbytes Page：2 Pages	150 Watt Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ·Highcurrentswitching ·Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
2SC5200N	文件：1.28247 Mbytes Page：4 Pages	150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor DESCRIPTION ·WithTO-3PN-SQpackage ·Complementtotype2SA1943N APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
2SC5200-OQ	文件：173.79 Kbytes Page：3 Pages	power amplifier applications POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS ?Complementaryto2SA1943 ????????Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5200OTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2SC5200OTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features ?HighCurrentCapability:IC=17A. ?HighPowerDissipation:150watts. ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1943/FJL4215. ?ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5200RTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2SC5200RTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features ?HighCurrentCapability:IC=17A. ?HighPowerDissipation:150watts. ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1943/FJL4215. ?ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5201	文件：77.7 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-VoltageSwitchingApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=600V ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.0V(max) (IC=20mA,IB=0.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5207A	文件：69.05 Kbytes Page：5 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SiliconNPNTripleDiffusedPlanar Features ?Highspeedswitching tf=0.2μsec(typ) ?Widedrivecurrentcapability	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SC5208	文件：167.44 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type High-Voltage Switching Applications High-VoltageSwitchingApplications SwitchingRegulatorApplications DC-DCConverterApplications DC-ACInverterApplications ?High-speedswitching:tr=1.0μs(max),tf=1.5μs(max) ?Highbreakdownvoltage:VCEO=400V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

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晶體管資料

型號(hào)：
2SC5200
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_HIFI_輸出極（E）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
230V
最大電流允許值：
15A
最大工作頻率：
30MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SC4029,
最大耗散功率：
150W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
B-62
vtest：
230
htest：
30000000
atest：
15
wtest：
150

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
2SC5200
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
電流 - 集電極截止（最大值）：
5μA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
頻率 - 躍遷：
30MHz
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-264-3，TO-264AA
供應(yīng)商器件封裝：
TO-264
描述：
TRANS NPN 230V 15A TO264

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	2SC5200	TOSHIBA	24+	TO-3PL	2000	原裝正品,歡迎咨詢	詢價(jià)
上海鑫科潤(rùn)電子科技有限公司	2SC5200	TOSHIBA	14+	TO-3P	9860	大量原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,一手貨源,一站式服務(wù),可開17%增	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	2SC5200	TOSHIBA東芝原裝	17+18+ROHSnew	TO3P封	70057	2SA1943/2SC5200音響對(duì)管QQ350053121	詢價(jià)
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	2SC5200	TOSHIBA/東芝	24+		10000	公司只做原裝正品!現(xiàn)貨庫存!假一罰十!	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SC5200	TOSHIBA	2020+	NA	12000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市訊順達(dá)科技有限公司	2SC5200	TOSHIBA	21+	TO-3PL	5000	全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SC5200	TOSHIBA	23+	TO-3PL	5000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市特瑞斯科技有限公司	2SC5200	TOSHIBA	23+	TO-3PL	19800	一級(jí)分銷商	詢價(jià)
深圳市潤(rùn)聯(lián)芯城科技有限公司	2SC5200	東芝	13+	TO-3PL	49	只做原裝正品	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SC5200	原裝	24+	標(biāo)準(zhǔn)	36335	熱賣原裝進(jìn)口	詢價(jià)

更多2SC520供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 16:00:00

晶體管資料

產(chǎn)品屬性

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