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04023J8R2BBS	文件：342.39 Kbytes Page：10 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA25312Bisa2-stagehighefficiencyInGaPHBTdriveramplifierdesignedforusein2400MHzISMapplications,WLAN(802.11g),WiMAX(802.16e)andwirelessbroadbandmeshnetworks.Itissuitablef	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
04023J8R2BBS	文件：640.44 Kbytes Page：19 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
04023J8R2BBS	文件：353.89 Kbytes Page：23 Pages	InGaP HBT Linear Amplifier 1Generaldescription TheMMZ25333Bisaversatile3?stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre?driverapplicationsformacroandmicrobase stationsandfinal?stageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencybandfrom1500to 2700MHzprovidingg	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
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