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04023J8R2BBS電容器的薄膜電容器規(guī)格書PDF中文資料

04023J8R2BBS
廠商型號

04023J8R2BBS

參數(shù)屬性

04023J8R2BBS 封裝/外殼為0402(1005 公制);包裝為卷帶(TR);類別為電容器的薄膜電容器;產品描述:CAP THIN FILM 8.2PF 25V 0402

功能描述

InGaP HBT Linear Amplifier

封裝外殼

0402(1005 公制)

文件大小

353.89 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-7 23:00:00

04023J8R2BBS規(guī)格書詳情

1 General description

The MMZ25333B is a versatile 3?stage power amplifier targeted at driver and pre?driver applications for macro and micro base

stations and final?stage applications for small cells. Its versatile design allows operation in any frequency band from 1500 to

2700 MHz providing gain of more than 40 dB. The device operates off a 5 V supply, and its bias currents and portions of the

matching networks are adjustable for optimum performance in any specific application. It is housed in a QFN 4 × 4 surface mount package.

3 Features and benefits

? P1dB: up to 33 dBm

? Gain: More than 40 dB

? 5 V Supply

? Excellent Linearity

? High Efficiency

? Single?ended Power Detector

? Band Tunable

產品屬性

  • 產品編號:

    04023J8R2BBSTR-500

  • 制造商:

    KYOCERA AVX

  • 類別:

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列:

    Accu-P?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    0402(1005 公制)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    RF,高 Q 值,低損耗

  • 大小 / 尺寸:

    0.039" 長 x 0.022" 寬(1.00mm x 0.55mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    0.020"(0.50mm)

  • 描述:

    CAP THIN FILM 8.2PF 25V 0402

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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