首頁>ZXMN4A06GT>芯片詳情

ZXMN4A06GT_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET 40V N-Chnl UMOS驚羽4部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
1000+
  • 廠家型號(hào)：

    ZXMN4A06GT

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VBSEMI-微碧

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    143788

  • 產(chǎn)品封裝：

    車規(guī)-場(chǎng)效應(yīng)管

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+25+/26+27+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-17 16:16:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：ZXMN4A06GT品牌：VBSEMI-微碧

一一有問必回一特殊渠道一有長(zhǎng)期訂貨一備貨HK倉(cāng)庫(kù)

  • 芯片型號(hào)：

    ZXMN4A06GTA

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大小：

    1009 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    ZXMN4A06GT

  • 功能描述：

    MOSFET 40V N-Chnl UMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市驚羽科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機(jī)：

    13147005145

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    131-4700-5145

  • 傳真：

    075583040836

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2031室

相近型號(hào)