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TPH1R306P1

MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=22nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=77.5nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.96mΩ(typ.)(VGS=10V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TPH1R306P1供應商 更新時間2024-11-18 10:04:00