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TPH2R306NH1

MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=91nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.9mΩ(typ.)(VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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更多TPH2R306NH1供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 15:00:00