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TIP112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

TIP112
廠商型號(hào)

TIP112
參數(shù)屬性

TIP112 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
功能描述

DARLINGTON TRANSISTOR (NPN)
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

286.69 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

JIANGSU【長(zhǎng)電科技】

中文名稱

江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-12 9:36:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    TIP112

  • 別名：

    TIP112三極管、TIP112晶體管、TIP112晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD265B,BD701,BDW23C,BDW53C,BDW63C,

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

    50

TIP112規(guī)格書詳情

TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES

● High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A(Min.)

● Low Collector-Emitter Saturation Voltage

● Industrial Use

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TIP112

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 8mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 1A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
SAMSUNG/三星
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