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TIP112

POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

MOSPEC

TIP112

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

Motorola

TIP112

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP115,TIP116andTIP117 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A

POINN

Power Innovations Ltd

POINN

TIP112

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STMICROELECTRONICS

TIP112

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導體公司

boca

TIP112

Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?ComplementarytoTIP115/116/117 ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

Fairchild

TIP112

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),?VCE=4V,IC=1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP117.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KEC

TIP112

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCTIP112isdesignedforsuchapplicationsas:DC/DCconverterssupplylineswitching,batterycharger,LCDbacklighting,peripheraldrivers,Driverinlowsupplyvoltageapplications(e.g.lampsandLEDs)andinductiveloaddriver(e.g.relays,buzzersandmotors). FEATURES *

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

UTC

TIP112

PLASTIC POWER TRANSISTORS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

TIP112

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR

Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications.

DCCOM

Dc Components

DCCOM

產品屬性

  • 產品編號：

    TIP112

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 8mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 1A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導體)
24+
TO-220
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
ST/意法
24+
TO-220
2000
全新原裝深圳倉庫現貨有單必成
 詢價
SAMSUNG/三星
24+
TO-220
5000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
ST/意法
21+19+
TO-220
8279
只做原裝正品
 詢價
ST/意法
25+
TO-220
45000
ST/意法全新現貨TIP112即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
 詢價
SMG
06+
原廠原裝
13451
只做全新原裝真實現貨供應
 詢價
ST
23+
TO220
9526
詢價
STM
24+/25+
TO-220AB
400
原裝正品現貨庫存價優(yōu)
 詢價
24+
TO-220
10000
全新
 詢價
ST/進口原
17+
TO-220
6200
詢價
更多TIP112供應商 更新時間2025-8-3 23:00:00

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