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TIP117F

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.)

MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),VCE=-4V,IC=-1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP112F.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

TIP117F

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

TIP117G

PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

TIP117G

PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

TIP117PNP

PLASTICPOWERTRANSISTORS

IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

TIPP117

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS

PRODUCTINFORMATION Informationiscurrentasofpublicationdate.ProductsconformtospecificationsinaccordancewiththetermsofPowerInnovationsstandardwarranty.Productionprocessingdoesnotnecessarilyincludetestingofallparameters. ●20WPulsedPowerDissipation ●100VCapabi

POINN

Power Innovations Ltd

TIPP117

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS

●20WPulsedPowerDissipation ●100VCapability ●2AContinuousCollectorCurrent ●4APeakCollectorCurrent

TRSYS

Transys Electronics

TLN117

INFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TLN117

TOSHIBAINFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER

Lead(Pb)-Free Opto?ElectoronicSwitches FloppyDiskDrives OpticalMice OpticalTouchSensors ?Small?side?viewepoxy?resinpackage ?Highradiantintensity:IE=0.8mW/sr(min)atIF=20mA ?Half?anglevalue:θ1/2=±15°(typ.) ?Idealforuseincombinationwiththefollowingphotodete

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TLN117A

TOSHIBAINFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER

Lead(Pb)-Free Opto?ElectoronicSwitches FloppyDiskDrives OpticalMice OpticalTouchSensors ?Small?side?viewepoxy?resinpackage ?Highradiantintensity:IE=0.8mW/sr(min)atIF=20mA ?Half?anglevalue:θ1/2=±15°(typ.) ?Idealforuseincombinationwiththefollowingphotodete

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TIL117VM供應商 更新時間2025-5-3 16:12:00

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