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TH58NYG3S0HBAI4_集成電路（IC） 存儲器-Kioxia America, Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    TH58NYG3S0HBAI4

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    80

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    63-VFBGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-25 8:02:00

  • 詳細信息
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原廠料號：TH58NYG3S0HBAI4品牌：Kioxia America, Inc.

資料說明：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

TH58NYG3S0HBAI4是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝63-VFBGA的TH58NYG3S0HBAI4存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    th58nyg3s0hbai4

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TH58NYG3S0HBAI4

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    8Gb（1G x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-TFBGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
23+
NA
2000
詢價
TOSHIBA/東芝
24+
FBGA63
300
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
KIOXIA CORPORATION
20000
原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道
 詢價
TOSHIBA
24+
BGA
23000
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
TOSHIBA/東芝
1948+
BGA
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
TOSHIBA
20+
BGA63
11520
特價全新原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
TOSHIBA
21+
BGA
950
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
Kioxia
21+
25000
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票!
 詢價
TOSHIBA/東芝
21+
FBGA63
5000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗
 詢價
TOSHIBA(東芝)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價

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