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TH58NYG2S3HBAI6_集成電路（IC） 存儲器-Kioxia America, Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    TH58NYG2S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    63-BGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-14 15:00:00

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原廠料號：TH58NYG2S3HBAI6品牌：Kioxia America, Inc.

資料說明：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

TH58NYG2S3HBAI6是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝63-BGA的TH58NYG2S3HBAI6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    th58nyg2s3hbai6

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TH58NYG2S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    4Gb（512M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-BGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
東芝
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
 詢價
Toshiba Memory
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
24+
N/A
56000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
Kioxia America Inc
23+/24+
63-BGA
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
 詢價
Kioxia America Inc.
24+
63-BGA
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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TOSHIBA/東芝
1948+
BGA
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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TOSHIBA
20+
BGA63
11520
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TOSHIBA
21+
BGA
950
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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Kioxia America, Inc.
21+
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11200
正品專賣,進口原裝深圳現(xiàn)貨
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Kioxia
21+
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