TC58NYG2S0HBAI4 集成電路（IC）存儲器 TOHIBA

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廠家型號：
TC58NYG2S0HBAI4
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
TOHIBA
庫存數(shù)量：
34
產(chǎn)品封裝：
BGA
生產(chǎn)批號：
1514+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-3-6 10:35:00

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詳細信息
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原廠料號：TC58NYG2S0HBAI4品牌：TOHIBA

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TC58NYG2S0HBAI4是集成電路（IC） > 存儲器。制造商TOHIBA/Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝BGA/63-VFBGA的TC58NYG2S0HBAI4存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
TC58NYG2S0HBAI4
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
TOSHIBA【東芝】詳情
廠商全稱：
Toshiba Semiconductor
中文名稱：
株式會社東芝
內容頁數(shù)：
2 頁
文件大小：
868 kb
資料說明：
SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
TC58NYG2S0HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
閃存
技術：
FLASH - NAND（SLC）
存儲容量：
4Gb（512M x 8）
寫周期時間 - 字，頁：
25ns
電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.95V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
63-VFBGA
供應商器件封裝：
63-TFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

供應商

企業(yè)：
深圳市中福國際管理有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
李先生
手機：
13534030369
詢價：
電話：
4000-969-680
地址：
深圳市福田區(qū)福虹路世貿廣場B座22F

TC58NYG2S0HBAI4 集成電路（IC）存儲器 TOHIBA

TC58NYG2S0HBAI4

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