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TC518129BFL-10

131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

Description TheTC518129Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Boperatesfromasing

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TC518129BFL-10L

131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

Description TheTC518129Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Boperatesfromasing

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TC518129BFL-10V

131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

Description TheTC518129B-Visa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129B-V utilizesaonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpower storage.TheTC518129B-Voperatesfrom

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多TC518129BFL-10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 15:24:00

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