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TC518129BFTL-10V

131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

Description TheTC518129B-Visa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129B-V utilizesaonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpower storage.TheTC518129B-Voperatesfrom

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TC518129BFTL-10

131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM

Description TheTC518129Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Boperatesfromasing

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TC518129BFTL-10L

131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM

Description TheTC518129Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Boperatesfromasing

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東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原裝正品現(xiàn)貨
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更多TC518129BFTL-10V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 15:29:00

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