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VBE165R02

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE165R02

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

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VBE165R02S

N-Channel650V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET

FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm ?DynamicdV/dtRating ?LowThermalResistance ?Lead(Pb)-freeAvailable

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VBFB165R02

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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更多SW165R02VLT供應商 更新時間2025-3-6 18:42:00

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