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STX817

NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

DECRIPTION TheSTX817isaPNPtransistormanufacturedusingPlanarTechnologyresultinginruggedhighperformancedevices. ■DEVICESUITABLEFORTHROUGH-HOLEPCBASSEMBLY APPLICATIONS ■VOLTAGEREGULATION ■RELAYDRIVER ■GENERICSWITCH

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團

STX817A

PNP Medium power transistor

Description TheSTX817AisaPNPtransistormanufacturedusingPlanarTechnologyresultinginruggedhighperformancedevices. Generalfeatures ■TO-92packagesuitableforthrough-holePCBassembly ■Incompliancewiththe2002/93/ECEuropeanDirective Applications ■Voltageregulation ■R

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團

STX817A-AP

PNP Medium power transistor

Description TheSTX817AisaPNPtransistormanufacturedusingPlanarTechnologyresultinginruggedhighperformancedevices. Generalfeatures ■TO-92packagesuitableforthrough-holePCBassembly ■Incompliancewiththe2002/93/ECEuropeanDirective Applications ■Voltageregulation ■R

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團

STX817A

PNP Medium power transistor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團

STX817A-AP

PNP Medium power transistor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團

STX817A

包裝：管件 封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 80V 1.5A TO92-3

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團

TFS817

Filterspecification

Vectron

Vectron International, Inc

TPC817

200mW,4PINDIPPhototransistorPhotocoupler

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

UMW817

CurrentConversionRatio(Min50WorkingConditionIF=5mA,VCE=5V)

●特點(Features): 1.電流轉(zhuǎn)換比(CTR:最小.50工作條件IF=5mA,VCE=5V) CurrentConversionRatio(Min50WorkingConditionIF=5mA,VCE=5V) 2.絕緣電壓：(VISO=5,000Vrms)InsulationVoltage=5,000Vrms 3.響應(yīng)時間(tr:TYP.4μs工作條件VCE=2V,IC=2mA,RL=100Ω) ResponseTime(tr:TYP.4μsworkingconditionVCE=2V,IC=2mA,

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)

UMW817

CurrentConversionRatio(Min50WorkingConditionIF=5mA,VCE=5V)

特點(Features): 電流轉(zhuǎn)換比(CTR:最小.50工作條件IF=5mA,VCE=5V) CurrentConversionRatio(Min50WorkingConditionIF=5mA,VCE=5V) 絕緣電壓：(VISO=5,000Vrms)InsulationVoltage=5,000Vrms 響應(yīng)時間(tr:TYP.4μs工作條件VCE=2V,IC=2mA,RL=100Ω) ResponseTime(tr:TYP.4μsworkingconditionVCE=2V,IC=2mA,RL=100Ω)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)

UMW817C

CurrentConversionRatio(Min50WorkingConditionIF=5mA,VCE=5V)

●特點(Features): 1.電流轉(zhuǎn)換比(CTR:最小.50工作條件IF=5mA,VCE=5V) CurrentConversionRatio(Min50WorkingConditionIF=5mA,VCE=5V) 2.絕緣電壓：(VISO=5,000Vrms)InsulationVoltage=5,000Vrms 3.響應(yīng)時間(tr:TYP.4μs工作條件VCE=2V,IC=2mA,RL=100Ω) ResponseTime(tr:TYP.4μsworkingconditionVCE=2V,IC=2mA,

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)

UMW817C-S

CurrentConversionRatio(Min50WorkingConditionIF=5mA,VCE=5V)

特點(Features): 電流轉(zhuǎn)換比(CTR:最小.50工作條件IF=5mA,VCE=5V) CurrentConversionRatio(Min50WorkingConditionIF=5mA,VCE=5V) 絕緣電壓：(VISO=5,000Vrms)InsulationVoltage=5,000Vrms 響應(yīng)時間(tr:TYP.4μs工作條件VCE=2V,IC=2mA,RL=100Ω) ResponseTime(tr:TYP.4μsworkingconditionVCE=2V,IC=2mA,RL=100Ω)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)

X817A

PNPMediumpowertransistor

Description TheSTX817AisaPNPtransistormanufacturedusingPlanarTechnologyresultinginruggedhighperformancedevices. Generalfeatures ■TO-92packagesuitableforthrough-holePCBassembly ■Incompliancewiththe2002/93/ECEuropeanDirective Applications ■Voltageregulation ■R

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團

XOPA817DTKR

OPA817800-MHz,High-Precision,Unity-GainStable,FET-InputOperationalAmplifier

1Features ?Widebandwidth: –Gain-bandwidthproduct:390MHz –Bandwidth(G=1V/V):800MHz –Large-signalbandwidth(2VPP):245MHz –Slewrate:970V/μs ?Highprecision: –Inputoffsetvoltage:250μV(maximum) –Inputoffsetvoltagedrift:4μV/°C(maximum) ?Inputvoltagenoise:

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

XOPA817DTKR

OPA817800-MHz,High-Precision,Unity-GainStable,FET-InputOperationalAmplifier

1Features ?Widebandwidth: –Gain-bandwidthproduct:400MHz –Bandwidth(G=1V/V):800MHz –Large-signalbandwidth(2VPP):250MHz –Slewrate:1000V/μs ?Highprecision: –Inputoffsetvoltage:250μV(maximum) –Inputoffsetvoltagedrift:3.5μV/°C(maximum) ?Inputvoltagenoi

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

ZUMT817

SOT323NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS

DIODES

Diodes Incorporated

詳細參數(shù)

  • 型號：

    STX817

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STX817供應(yīng)商 更新時間2024-10-27 14:32:00

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