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STY105NM50N

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STY105NM50N

Marking：105NM50N；Package：Max247；N-channel 500 V, 0.019 廓 typ., 110 A, MDmesh??II Power MOSFET in a Max247 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    STY105NM50N

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STY105NM50N供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 10:11:00

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