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STW6NB100

N - CHANNEL 1000V - 2.3ohm - 5.4A - TO-247 PowerMESH MOSFET

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnology,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMosfetswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,except

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STW6NB100

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    STW6NB100

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 功能描述：

    MOSFET N TO-247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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2022
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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ST/意法半導(dǎo)體
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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更多STW6NB100供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 16:44:00

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