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STP180N4F6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STP180N4F6
廠商型號

STP180N4F6

參數(shù)屬性

STP180N4F6 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

功能描述

N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET? F6 Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

絲印標(biāo)識

180N4F6

封裝外殼

TO-220 / TO-220-3

文件大小

680.85 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-30 17:01:00

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STP180N4F6規(guī)格書詳情

STP180N4F6屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STP180N4F6晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Very low on-resistance

? Very low gate charge

? High avalanche ruggedness

? Low gate drive power loss

Applications

? Switching applications

? Power tools

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the STripFET? F6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STP180N4F6

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    STripFET? F6

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    120A(Tc)

  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 功率耗散(最大值):

    190W(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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