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STP180N10F3中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STP180N10F3
廠(chǎng)商型號(hào)

STP180N10F3

功能描述

N-channel 100 V, 4.0 m廓, 120 A STripFET??Power MOSFET D2PAK, TO-220

文件大小

256.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-13 19:06:00

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STP180N10F3規(guī)格書(shū)詳情

Description

This n-channel enhancement mode Power MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process with less critical alignment steps and therefore a remarkable manufacturing reproducibility. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.

■ Ultra low on-resistance

■ 100 avalanche tested

Application

■ High current switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STP180N10F3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
20+
TO-220
38560
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
詢(xún)價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢(xún)價(jià)
ST
23+
TO220
6996
只做原裝正品現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-220-3
12700
買(mǎi)原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美
詢(xún)價(jià)
ST
2018+
TO-220
11256
只做進(jìn)口原裝正品!假一賠十!
詢(xún)價(jià)
ST/意法
15+
TO-220
775
詢(xún)價(jià)
ST
10+
TO-220
19
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢(xún)價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-220-3
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢(xún)價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-220-3
12820
公司只做原裝,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
詢(xún)價(jià)
ST
22+
NA
1000
原裝正品支持實(shí)單
詢(xún)價(jià)