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STP10NM60N中文資料意法半導體數據手冊PDF規(guī)格書

STP10NM60N
廠商型號

STP10NM60N

功能描述

N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET

絲印標識

10NM60N

封裝外殼

TO-220

文件大小

907.61 Kbytes

頁面數量

17

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 23:00:00

STP10NM60N規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel 600 V Power MOSFET realized using the second generation of MDmesh? technology. It applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

Switching applications

產品屬性

  • 型號:

    STP10NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA/
485
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
ST
2020+
TO-220
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ST/意法
22+
TO-220
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ST/意法半導體
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TO-220-3
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ST/意法半導體
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ST
22+
TO220
20382
原裝正品現(xiàn)貨
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17+
TO-220
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ST/意法
2023+
TO220
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十五年行業(yè)誠信經營,專注全新正品
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