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STGWT80H65DFB

Marking：GWT80H65DFB；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT80H65DFB

High speed switching series

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT80H65DFB

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW80H65DFB

Highspeedswitchingseries

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW80H65FB

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA80H65DFB

Tightparameterdistribution

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA80H65DFBAG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features ?AEC-Q101qualified ?High-speedswitchingseries ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?LowVCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A ?Minimizedtailcurrent ?Tightparameterdistribution ?PositivetemperatureVCE(sat)coefficient ?Softandveryfastrecoveryantiparallel

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA80H65FB

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGWT80H65DFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，80A

  • 開關(guān)能量：

    2.1mJ（開），1.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    84ns/280ns

  • 測試條件：

    400V，80A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-3P
1118
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
ST/意法
22+
TO3P
12000
原廠原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST
21+
TO-3P
25630
原裝正品
 詢價(jià)
ST
17+
TO-3P
18
只做原裝正品
 詢價(jià)
ST
23+
TO-3P
12500
ST系列在售,可接長單
 詢價(jià)
STMicroelectronics
18+
NA
3540
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價(jià)
ST
23+
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專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價(jià)代理QQ1304306553
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更多STGWT80H65DFB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-20 10:31:00

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